東日本旅客鉄道 E8 系新幹線、相次ぐ補助電源装置故障の深層 — 製造メーカー三菱電機の関与と今後の展望 2025 年 6 月 17 日に発生した JR 東日本の E8 系新幹線車両の相次ぐ故障は、東北・山形新幹線に甚大な影響を与え、多くの利用客に不便と心配をかけています。 JR 東日本は、これらの故障が補助電源装置（ SIV ）の不具合によるものであることを公表し、現在も原因究明と対策に努めています。特に、 三菱電機製の半導体素子に損傷が確認 されている ことから、その原因が注目されています。 これまでの経緯と現在の調査状況 前回ご報告した通り、 6 月 17 日には E8 系の 4 編成（ G8, G9, G10, G11 ）で計 4 件の車両故障が発生しました。これら全ての故障において、 補助電源装置の異常が確認されています 。 JR 東日本とメーカーによる詳細な調査の結果、故障が発生した 6 台の補助電源装置内部で、 同部位の半導体素子に損傷が見つかりました。 この半導体素子の損傷が、車両のモーターを制御する主変換装置への電力供給を断ち、冷却装置の停止と回路保護動作を引き起こし、最終的に走行不能に至らせたものと見られています。 現在も半導体素子が損傷した根本的な原因は特定されておらず、気温などの環境的要素を含め、あらゆる観点から鋭意原因究明が進められています。 E8 系補助電源装置と三菱電機製半導体の関連性 今回故障した E8 系の補助電源装置に搭載されていたと見られるのが、 東洋電機製造 の ものと 類似 した なので E6 系 と同様 の 同じ SIV の可能性が高いが、補助電源装置の中にある半導体のチップが途中で変更したのか知らないが、三菱電機製の「 HVIGBT モジュール S1 シリーズ 」です。この製品は 2024 年 12 月 26 日に発売されたばかりの最新のもので、故障が発生した G9 編成の落成が 2025 年 1 月 21 日と比較的最近であることから、この編成から仕様変更により当該製品が採用された可能性が指摘されています。 補助電源装置内部の半導体素子の損傷は、写真からも非常に深刻な状態であることが伺え、専門家からは「爆発」「物理破壊」「焼損」といった表現でその状況が語られています。このような大規模な...
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